超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

超高速温変化スピード！-55℃～+125℃/4秒以下　半導体素子やハイブリッドICとその他のコンポーネント、または小規模のアセンブリ等の、狭い範囲内での高温及び低温試験に適しています。特に、体積が小さいために自動高低温ハンドラの利用が難しい、または不可能であるようなアプリケーションには最適です。現在。研究開発・製品開発・生産技術・品質保証・出荷検査等、多くの部門で採用されています。　　圧縮エアと電源のみで幅広い温度環境を提供　高速な温度可変速度　DUTセンサによる温度制御可能　特許取得の温度コントロールア

軽量でありながら単位重量当たりの強度は現存する構造材の中でも優れています。　六角柱が連続する外観を生かし、広く装飾に使用されています。また、散光効果があり、照明ルーバーとしても採用されています。　アルミハニカムやアルミハニカムパネルは、軽量な電磁シールド材として、広く用いられています。　ハニカムは単位体積当たりの表面積が大きいため、放熱性を持ち合わせています。　安定した座屈変形により、衝撃エネルギーを吸収します。　セル内を通過する流体をセル軸に平行な流れに整えます。

軽量でありながら単位重量当たりの強度は現存する構造材の中でも優れています。　六角柱が連続する外観を生かし、広く装飾に使用されています。また、散光効果があり、照明ルーバーとしても採用されています。　アルミハニカムやアルミハニカムパネルは、軽量な電磁シールド材として、広く用いられています。　ハニカムは単位体積当たりの表面積が大きいため、放熱性を持ち合わせています。　安定した座屈変形により、衝撃エネルギーを吸収します。　セル内を通過する流体をセル軸に平行な流れに整えます。