◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相矩形波インクリメンタル信号
･ラインドライバー出力
･Z相矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差：20arc-secp-p以内
･最高応答周波数：500kHz
･最高応答回転速度：360rpm（6rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧：DC±5V ±5％
･電源電流：＋5V ： 250mA max. -5V ：100mAmax. （無負荷時）
◎機械的仕様
･許容最高回転数：5,000rpm
･起動トルク：9g cm以下
･質量：95g（コード含まず）
･直径：36mm
･ケーブル長：約300mm
◎環境条件
･動作温度：0℃～50℃
･保存温度：-30℃～80℃
･湿度：90％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下
･衝撃：30G , 11msec以下

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【moth-eye標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250
・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm）
・パターン深さ：350nm±35nm
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

◎SR-P1000 仕様
･電源 DC+5V±5% 250mA max
･光源 LED 中心波長650nm（Typ.）
･動作温度 0～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･保存温度 -20℃～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･振動／衝撃 1.5G 20～250Hz / 30G 減衰時間 11msec
･外形寸法 センサーヘッド 23mm(L)×15mm(W)×8.6mm(H)
･分割ユニット 90mm(L)×54mm(W)×20mm(H)
･質量 ヘッド：30g（ケーブル含む） 分割ユニット120g

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【ピラーパターン標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=250nm/P=350nm
・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm）
・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm）
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

◎電気的仕様
･本体パルス：50,000パルス/回転
･出力：二相矩形波インクリメンタル信号
･ラインドライバー出力
･Z相矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差 25arc-secp-p以内
･最高応答周波数 2MHz
･最高応答回転速度 2,400rpm（40rps）
･光源 半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
･電源電流 ＋5V ： 280mA max. -5V ： 100mAmax. （無負荷時）
･機械的仕様
･許容最高回転数 5,000rpm
･起動トルク 50g cm以下
･質量 260g（コード含まず）
･直径 56mm
◎環境条件
･動作温度 0℃～50℃
･保存温度 -30℃～80℃
･湿度 90％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下
･衝撃 60G , 11msec以下

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　
【L&Sパターン標準品（3種用意）】
パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm
パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通）
パターンエリア：□24mm（各hp共通）
【標準品共通仕様】
材質：合成石英
外形寸法：34mm×32mm
基板厚：0.85mm±0.05mm
熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

◎電気的仕様
･本体パルス：648,000パルス/回転
･出力 A相、B相：矩形波インクリメンタル信号/ラインドライバー出力
Z相：矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答回転速度 222rpm
･光源 半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
･電源電流 ＋5V ： 250mA max. -5V ： 50mA max.（無負荷時）
◎機械的仕様
･許容最高回転数：5,000rpm
･起動トルク：9g cm以下
･質量：95g（コード含まず）
･直径：36mm
･ケーブル長：約300mm
◎環境条件
･動作温度 0℃～50℃
･保存温度 -30℃～80℃
･湿度 90％RH以下（結露無きこと）
･振動 5G , 20～200Hz以下
･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相正弦波インクリメンタル信号/アナログ差動出力
･Z相TTL出力
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答回転速度：185rpm（3rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧：DC±5V ±5％
･電源電流：＋5V：200mA max.　-5V：100mA max. （無負荷時）
◎機械的仕様
･質量：160g（コード含まず）
･直径（コード含まず）：56mm
◎環境条件
･動作温度：0℃～50℃
･保存温度：-10℃～60℃
･湿度：90％RH以下（結露無きこと）
･振動：5G , 20～200Hz以下
･衝撃：30G , 11msec以下

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