・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【moth-eye標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250 ・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm） ・パターン深さ：350nm±35nm ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】 基板サイズ：20nm□ 基板厚：0.85㎜ 材質：合成石英 パターン領域：4mm□ パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm パターン深さ：200nm

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。

新製品 安全重視！ 水素、その他の可燃性ガスにも対応 ※無料貸出機あります。