◎電気的仕様 ･本体パルス：81,000パルス/回転 ･出力：二相正弦波インクリメンタル信号/アナログ差動出力 ･Z相TTL出力 ･累積誤差 20arc-secp-p以内 ･最高応答回転速度：185rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧：DC±5V ±5％ ･電源電流：＋5V：200mA max.　-5V：100mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･質量：160g（コード含まず） ･直径（コード含まず）：56mm ◎環境条件 ･動作温度：0℃～50℃ ･保存温度：-10℃～60℃ ･湿度：90％RH以下（結露無きこと） ･振動：5G , 20～200Hz以下 ･衝撃：30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：81,000パルス/回転 ･出力：二相正弦波インクリメンタル信号/アナログ差動出力 ･Z相TTL出力 ･累積誤差 20arc-secp-p以内 ･最高応答回転速度：185rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧：DC±5V ±5％ ･電源電流：＋5V：200mA max.　-5V：100mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･質量：160g（コード含まず） ･直径（コード含まず）：56mm ◎環境条件 ･動作温度：0℃～50℃ ･保存温度：-10℃～60℃ ･湿度：90％RH以下（結露無きこと） ･振動：5G , 20～200Hz以下 ･衝撃：30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様 ･本体パルス：225,000パルス/回転 ･出力：正弦波インクリメンタル信号 ･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波） ･Z相：差動ラインドライバー出力 ･最高応答回転速度：180rpm（3rps） ･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW） ･電源電圧 DC±5V ±5％ 電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時） ◎機械的仕様 ･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2 ･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg ･ディスクユニット：0.26kg ◎環境条件 ･動作温度 10℃～40℃ ･保存温度 -10℃～60℃ ･湿度 80％RH以下（結露無きこと） ･振動 5G , 250Hz以下 ･衝撃 30G , 11msec以下

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン ・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　 【L&Sパターン標準品（3種用意）】 パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通） パターンエリア：□24mm（各hp共通） 【標準品共通仕様】 材質：合成石英 外形寸法：34mm×32mm 基板厚：0.85mm±0.05mm 熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能 ・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応 ・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応 ・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能 ・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 【ピラーパターン標準品（2種用意）】 ・パターン寸法：P=250nm/P=350nm ・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm） ・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm） ・パターンエリア：□24mm（共通） 【標準品共通仕様】 ・材質：合成石英 ・外形寸法：34㎜×32㎜ ・基板厚：0.85mm±0.05㎜ ・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）