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  • アングルボディオンオフ・比例弁タイプ コントロールバルブ

    2個のステムベアリング及び鏡面仕上げのステンレスステムにより、バルブの安定性が増し、長寿命です。 5個のPTFE製V字型パッキンにより、低~高温度領域で耐久性があります。 配管を分解することなくアクチュエータを取り外せます。 使用流体は気体、液体、蒸気に対応します。 2方弁タイプのみだけでなく、3方弁タイプもあり、バルブ本体はブロンズ、真鍮、SUS製があり、接続サイズは1/4"~3"まで用意しております。

    パーカー・ハネフィン日本(株)

  • アングルボディオンオフ・比例弁タイプ コントロールバルブ

    2個のステムベアリング及び鏡面仕上げのステンレスステムにより、バルブの安定性が増し、長寿命です。 5個のPTFE製V字型パッキンにより、低~高温度領域で耐久性があります。 配管を分解することなくアクチュエータを取り外せます。 使用流体は気体、液体、蒸気に対応します。 2方弁タイプのみだけでなく、3方弁タイプもあり、バルブ本体はブロンズ、真鍮、SUS製があり、接続サイズは1/4"~3"まで用意しております。

    パーカー・ハネフィン日本(株)

  • アングルボディオンオフ・比例弁タイプ コントロールバルブ

    2個のステムベアリング及び鏡面仕上げのステンレスステムにより、バルブの安定性が増し、長寿命です。 5個のPTFE製V字型パッキンにより、低~高温度領域で耐久性があります。 配管を分解することなくアクチュエータを取り外せます。 使用流体は気体、液体、蒸気に対応します。 2方弁タイプのみだけでなく、3方弁タイプもあり、バルブ本体はブロンズ、真鍮、SUS製があり、接続サイズは1/4"~3"まで用意しております。

    パーカー・ハネフィン日本(株)

  • アングルボディオンオフ・比例弁タイプ コントロールバルブ

    2個のステムベアリング及び鏡面仕上げのステンレスステムにより、バルブの安定性が増し、長寿命です。 5個のPTFE製V字型パッキンにより、低~高温度領域で耐久性があります。 配管を分解することなくアクチュエータを取り外せます。 使用流体は気体、液体、蒸気に対応します。 2方弁タイプのみだけでなく、3方弁タイプもあり、バルブ本体はブロンズ、真鍮、SUS製があり、接続サイズは1/4"~3"まで用意しております。

    パーカー・ハネフィン日本(株)

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

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    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

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    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

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    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

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  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ

  • 露光レーザーアブレーション/HiDep/ICP型CVD

    プラスチック、フィルムのITO及びポリイミドのダイレクトエッチングパターンを高速で実現! ホトリソ工程のスキップを実現 低コスト大量生産が可能 24時間フル生産 スキャニング、ステッパー、リール方式選択可能  マスクパターンを正確に転写してレーザーエッチングパターンを形成 熱の影響なくレーザーで材料の結合を破壊 ワンパルスで薄膜金属(j金、銅)の直接パターンエッチング   SiO2、Si3N4を常温から400度で低温から高温で高速成膜ができる!

    (株)ティーディーワイ