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TEDSセンサー
重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
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重イオンエネルギーとウエットケミカルエッチングを利用して製造されたメンブラン。特徴は10μmまでポア(空孔)を高精度にあけることが可能 430℃まで耐えられるPolymideに加工ができる 10μm四方の狭いエリアにポア(穴)をあけることが可能。
