【刊行にあたって】 この本では,従来の方法に加え,新しい成長法によるIII族窒化物単結晶の作製法,III族窒化物半導体に格子整合する基板用材料や,それらの基板を用いたデバイス試作の例を紹介している。今後,III族窒化物半導体を用いて,その真の物性的限界まで利用し,究極効率,究極性能のデバイスを普及させるには,これら単結晶作製技術の発展が不可欠であり,ここでは第一線で活躍している研究者が集い,最先端研究の現状を生き生きと伝えている。サステイナブル社会を構築するためのグリーンテクノロジーの基盤技術としてのIII族窒化物半導体開発の今を,是非ご覧ください。

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【刊行にあたって】 の中に出版されるTSV関連の書籍と差別化するために,本書は以下のことを特徴としている。・基本的技術説明を一切省き,TSVと従来のSIP技術も含めたSiP全体の“最新技術の解析”を行い,実験データの説明に重点をおいた。 　・特にTSV技術において,業界の中では,TSV技術を今後の技術アイテムに適用するかどうか手探り状態であるメーカーも少なくないと推測される。そこで,当書籍はそれらの指針になりうると思われる。

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