『パワーエレクトロニクスの新展開』
Recent Development of Power Electronics

★高度電力化社会の進展に向けて,ユビキタスな存在を目指すパワーエレクトロニクス!
★キィデバイスとなるワイドバンドギャップ半導体による先進パワーデバイスを紹介!
★国内第一線研究者23名が執筆!

番 号	CM0693
執筆者	(独)産業技術総合研究所　大橋弘通 氏ほか
対象	パワーエレクトロニクスに関する研究者ほか
出版社	株 式会社シーエムシー出版
発行年月	2009年9月
在庫	要確認
体裁	B5判,197ページ
定価	68,250円(本体65,000 円+税5%) ※会員ポイントサービス(割引)は利用できませんが購入すると1%ポイント付与

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【執筆者】

大橋弘通　　　 (独)産業技術総合研究所　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ　プロジェクトマネージャー(招聘研究員)
木本恒暢　　　 京都大学　工学研究科　電子工学専攻　教授
大谷　昇　　　 関西学院大学　SiC材料・プロセス研究開発センター　センター長;教授
児島一聡　　　 (独)産業技術総合研究所　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
福田憲司　　　 (独)産業技術総合研究所　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ　SiCパワーデバイス技術統括
四戸　孝　　　 (株)東芝　研究開発センター　電子デバイスラボラトリー
藤平龍彦　　　 富士電機デバイステクノロジー(株)　電子デバイス研究所　所長
岩室憲幸　　　 富士電機デバイステクノロジー(株)　電子デバイス研究所　WBG　Grマネージャー
中野佑紀　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　研究員
三浦峰生　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　研究員
川本典明　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　研究員
大塚拓一　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　准研究員
奥村啓樹　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　
中村　孝　　　 ローム(株)　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　センター長(次席研究員)
田中保宣　　　 (独)産業技術総合研究所　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ　主任研究員
江川孝志　　　 名古屋工業大学　極微デバイス機能システム研究センター　センター長;教授
井手利英　　　 (独)産業技術総合研究所　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ　研究員
田中　毅　　　 パナソニック(株)　セミコンダクター社　半導体デバイス研究センター　所長
池田成明　　　 古河電気工業(株)　横浜研究所　GaNプロジェクトチーム　主査
鹿田真一　　　 (独)産業技術総合研究所　ダイヤモンド研究センター　副センター長
嘉数　誠　　　 日本電信電話(株)　NTT物性科学基礎研究所　薄膜材料研究グループ・リーダー;主幹研究員
内藤治夫　　　 岐阜大学　工学部　人間情報システム工学科　教授
二宮　保　　　 長崎大学　工学部　エネルギーエレクトロニクス学講座　教授

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第1章　SiC

(村上元)
1.　SiC―可能性とその特徴―(木本恒暢)
1.1　はじめに
1.2　SiCのポリタイプ現象と結晶成長技術の概要
1.3　SiCの物性
1.4　SiCパワーデバイスの特徴

2.　SiC単結晶基板の高品質化技術(大谷昇)
2.1　はじめに
2.2　SiC単結晶基板製造技術の概要
2.3　SiC単結晶基板研磨技術の高品質化
2.4　SiC単結晶基板中の結晶欠陥
2.5　SiC単結晶基板の高品質化技術
2.6　おわりに

3.　SiCエピタキシャル薄膜の多形制御技術(児島一聡)
3.1　はじめに
3.2　多形制御の基礎(オフ基板を用いたステップ制御エピタキシー)
3.3　多形制御の新展開
3.3.1　背景
3.3.2　Just基板上のエピタキシー技術
3.4　おわりに

4.　SiCパワーMOSFETの開発(福田憲司)
4.1　SiCパワーMOSFET製造のための要素プロセスの現状と課題
4.1.1　ソース/Pウエル形成用高温イオン注入/活性化アニール技術
4.1.2　SiCとソース/ドレイン電極間のオーミックコンタクト形成技術
4.1.3　MOS界面形成技術
4.1.4　ゲート酸化膜の長期信頼性
4.2　SiCパワーMOSFETの開発状況
4.3　SiCパワーMOSFETの応用

5.　Super-SBD(四戸孝)
5.1　超接合構造と浮遊接合構造
5.2　Super-SBDの基本構造
5.3　4H-SiC Super-SBDの設計技術
5.4　Super-SBDを実現するプロセス技術
5.5　4H-SiC Super-SBD試作結果

6.　SiC-MOSFETの信頼性および動作時のノイズ低減(藤平龍彦,岩室憲幸)
6.1　はじめに
6.2　なぜSiCが注目されているのか
6.3　SiC-MOSFETデバイスならびにモジュールの課題
6.4　まとめ

7.　高性能4H-SiC SBD,MOSFETの開発と高温動作SiC IPM(中野佑紀,三浦峰生,川本典明,大塚拓一,奥村啓樹,中村孝)
7.1　4H-SiC SBD
7.1.1　300A大面積4H-SiC SBD
7.2　SiC MOSFET
7.2.1　4H-SiC DMOSデバイスプロセス
7.2.2　4H-SiC DMOS電気的特性
7.2.3　ゲート酸化膜の信頼性　
7.3　4H-SiCトレンチMOSFET
7.3.1　4H-SiCトレンチMOSFETデバイスプロセス
7.3.2　ドレイン電流の面方位依存性　
7.3.3　4H-SiCトレンチMOSFET電気的特性
7.4　SiC IPM
7.4.1　高温動作SiC IPM
7.5　まとめ

8.　SiC接合型/静電誘導型(SiC-JFET/SIT)トランジスタ(田中保宣)
8.1　SiC-JFET/SITの開発経緯
8.2　SiC-JFET/SITの各種構造
8.3　SiC-JFET/SITの開発状況
8.3.1　表面ゲート型
8.3.2　リセスゲート型
8.3.3　埋込ゲート型
8.4　SiC-JFET/SITの負荷短絡耐量
8.5　SiC-JFET/SITのノーマリオフ化
8.6　今後の課題

第2章　GaN

1.　GaN―可能性とその特徴―(江川孝志)
1.1　はじめに
1.2　ワイドバンドギャップ半導体と性能指数
1.3　GaNの現状と課題
1.4　Si基板上へのGaN層ヘテロエピタキシャル成長
1.5　まとめ

2.　窒化物半導体の特性と評価(井手利英)
2.1　結晶構造
2.2　窒化物半導体の電気的性質
2.3　混晶
2.4　分極
2.5　ヘテロ構造と2次元電子ガス
2.6　耐圧

3.　Si基板上AlGaN/GaNパワーデバイス(田中毅)
3.1　はじめに
3.2　低コストSi基板上AlGaN/GaNパワーデバイス
3.3　ノーマリオフ動作ホール注入型トランジスタ―Gate Injection Transistor―
3.4　まとめ

4.　超高耐圧AlGaN/GaNパワーデバイス(田中毅)
4.1　はじめに
4.2　超高耐圧化デバイス技術
4.3　超高耐圧AlGaN/GaNトランジスタの特性
4.4　まとめ

5.　薄層AlGaN構造を用いたGaNパワーデバイス(池田成明)
5.1　概要
5.2　はじめに
5.3　ノーマリオフFETの開発
5.3.1　GaN系ノーマリオフFETのこれまでの報告
5.3.2　ノーマリオフの閾値制御
5.3.3　薄層AlGaNを用いたFETの素子作製プロセス
5.3.4　素子評価結果
5.4　薄層AlGaN構造のFESBD(Field Effect Schottky Barrier Diode)への展開
5.4.1　FESBDの高耐圧低オン電圧化のメカニズム
5.4.2　素子の作製方法
5.4.3　FESBDの素子特性評価結果
5.5　今後の展望
5.6　おわりに

第3章　ダイヤモンド半導体

1.　材料(鹿田真一)
1.1　ダイヤモンドの分類
1.2　物性
1.2.1　基礎物性
1.2.2　デバイス関連物性
1.3　ウェハ
1.3.1　合成方法
1.3.2　ウェハ
1.4　コンタクト電極
1.4.1　オーミック電極
1.4.2　ショットキー電極
1.5　プロセス
1.5.1　ウェットプロセス
1.5.2　ドライプロセス
1.6　材料から見たデバイス指標

2.　デバイス(嘉数誠)
2.1　はじめに―現状と課題―
2.2　ダイヤモンド・パワーダイオード
2.3　ダイヤモンド・ダイオードの高温動作
2.4　デルタドープ・ダイヤモンドFET
2.5　水素終端ダイヤモンドFET
2.5.1　水素終端ダイヤモンドFETの直流特性
2.5.2　水素終端ダイヤモンドFETの高周波小信号特性
2.5.3　水素終端ダイヤモンドFETの自然形成ゲート絶縁層
2.5.4　水素終端ダイヤモンドFETの高周波大信号特性
2.6　まとめ

第4章　応用編

1.　次世代モーダルシフト(内藤治夫)
1.1　自動車(HEV,EV)
1.1.1　磁石材料の進歩
1.1.2　磁石材料の問題点
1.1.3　ACサーボモータの利点
1.1.4　磁束弱め制御
1.1.5　IPM形ACサーボモータ
1.1.6　EV,HEV駆動時の問題点
1.1.7　HEVの駆動源の構成
1.2　鉄道
1.3　モーダルシフトの今後

2.　情報通信システム用電源(二宮保)
2.1　はじめに
2.2　情報通信システムにおける分散給電システム
2.3　スイッチング電源の高性能化技術
2.4　将来動向